Ozone Generator
半導體級臭氧氣體系統
❮ 技術特點 ❯
➤ 掩埋式高壓電極與地電極，無金屬汙染
➤ 最高濃度可達 350g/m² 以上
➤ 最大流量 120 slm
➤ 開環控制與閉迴路控制可選
➤ Stack 堆疊，整合產生器數量：Max 4 sets
➤ 整合式自動壓力控制器，MFC 與臭氧分析儀
➤ SEMI S2＆S23＆CE 認證
❮ 應用領域 ❯
TEOS – O3 Process CVD
ALD for High-K Dielectric Deposition
半導體級高濃度臭氧水系統
❮ 技術特點 ❯
➤ HICON 系列面向半導體產業
➤ HIFLOW 系列面向平板顯示行業
➤ 高純度陶瓷放電技術、高純度高濃度臭氧產生器、無金屬污染
➤ 整合式氣液混合與消泡技術，混合同時排出多餘氣泡
➤ 配置無軸磁浮增壓幫浦，高壓力輸出，多流量可選
➤ 流量可選範圍：1–140 LPM 範圍，滿足 SEMI 與 FPD 產業需求
➤ 配置加熱催化一體式臭氧破壞器，分解多餘臭氧氣體
➤ 高精度臭氧水濃度分析儀，量程達 150 ppm
➤ 可選多路臭氧水出口，適合多個 Chamber
➤ 可選 Reclaim 模式，非流程時節省超純水 SEMI S2＆S23＆CE 認證
